삼성전자, 8인치 라인 활용 SiC 파운드리 재가동 – 2028년 양산 목표로 전력 반도체 추격

상세 분석

삼성전자가 한동안 소강상태였던 실리콘 카바이드(SiC) 화합물 반도체 파운드리 사업에 다시 시동을 걸었습니다. 업계 분석에 따르면 삼성은 차세대 전력 반도체 시장의 주도권을 확보하기 위해 2028년 양산을 목표로 구체적인 로드맵을 수립 중입니다. 이번 리부트의 핵심은 기존의 성숙 공정인 8인치(200mm) 파운드리 라인을 SiC 생산용으로 전환하여 자산 가동률을 극대화하는 데 있습니다.

SiC 반도체는 실리콘(Si) 대비 고전압 및 고온 내구성이 뛰어나 전기차(EV)와 신재생 에너지 시스템의 에너지 효율을 획기적으로 개선합니다. 삼성전자는 업계의 고질적인 문제인 6인치(150mm) 공정의 수율 한계를 건너뛰고, 현재 글로벌 시장의 원가 절감 격전지인 8인치(200mm) 공정으로 직행하는 전술을 택했습니다. 이는 울프스피드(Wolfspeed)나 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)와 같은 기존 강자들과의 시간적 격차를 단축하기 위한 전략적 선택입니다.

삼성은 자사의 정교한 파운드리 공정 관리 능력과 대규모 생산 인프라를 바탕으로 고부가가치 전력 반도체 시장에서의 비중을 확대할 계획입니다. 이는 단순히 모바일과 로직 칩에 편중된 포트폴리오를 다변화하는 것을 넘어, 자율주행 및 미래 모빌리티 생태계에서 핵심 공급자로서의 입지를 공고히 하려는 장기적 포석으로 해석됩니다.

시사점

삼성전자의 SiC 시장 재진입은 8인치(200mm) 웨이퍼로의 직행이라는 점에서 매우 실용적인 도박입니다. Wolfspeed나 STMicro 대비 2028년이라는 시점은 늦은 감이 있으나, 6인치 공정의 시행착오를 건너뛰고 대량 양산 효율성이 검증된 8인치 라인을 활용함으로써 ‘기술의 삼성’이 아닌 ‘제조의 삼성’으로서의 가격 경쟁력을 극대화하려는 전략으로 보입니다.