🔍 핵심 요약

  • 미국 국제무역위원회(ITC)는 중국 이노사이언스가 인피니언의 전력 반도체 핵심 특허를 침해했다고 예비 판결했습니다.
  • 분쟁의 핵심인 '294 특허'는 질화갈륨(GaN) 소자의 신뢰성과 성능을 결정짓는 핵심적인 패키징 및 구조 기술을 포함합니다.
  • 이번 판결이 최종 확정될 경우 이노사이언스의 GaN 제품은 미국 시장 내 수입 및 판매가 전면 금지될 가능성이 높습니다.

상세 분석

인피니언, 미 ITC 예비 판결 승리로 GaN 시장 주도권 강화

글로벌 전력 반도체 시장의 절대 강자인 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 중국의 신흥 강자 이노사이언스(Innoscience)를 상대로 한 미 국제무역위원회(ITC) 소송에서 결정적인 승기를 잡았습니다. ITC 행정판사는 이노사이언스가 인피니언의 질화갈륨(GaN) 기술 관련 특허를 침해했다는 예비 결정을 내렸으며, 위원회는 이를 재검토한 끝에 침해 사실을 최종 지지했습니다. 이번 소송의 중심에는 GaN 소자의 고전압 안정성을 확보하는 핵심 기술이 자리 잡고 있습니다.

기술적 쟁점: 294 특허와 소자 신뢰성

이번 분쟁의 핵심은 인피니언이 보유한 이른바 ‘294 특허’입니다. GaN 반도체는 실리콘에 비해 스위칭 속도가 빠르고 전력 손실이 적지만, 고전압 환경에서의 게이트 안정성 확보가 매우 까다롭습니다. 인피니언은 소자의 성능을 저하시키지 않으면서도 누설 전류를 제어하고 신뢰성을 높이는 독자적인 에피택셜(Epitaxial) 성장 및 소자 구조 기술을 특허화했습니다.

ITC는 이노사이언스가 자사 제품에 이 설계를 무단으로 도용했음을 인정했습니다.

법적 절차와 시장 진입 장벽의 변화

이번 예비 판결은 향후 ‘제한적 배제 명령(Limited Exclusion Order)‘으로 이어질 가능성이 큽니다. 이는 이노사이언스의 침해 제품이 미국 국경을 넘지 못하게 차단하는 강력한 조치입니다. 전 세계 GaN 생산량의 상당 부분을 차지하는 이노사이언스에 있어 미국 시장 퇴출은 치명적인 타격이며, 이는 곧 인피니언과 같은 기존 선도 기업들이 확보한 기술적 진입 장벽이 얼마나 공고한지를 보여주는 사례입니다.

산업계는 이제 법적 리스크가 기술적 성능만큼이나 중요한 시장 생존 요소가 되었음을 직시하고 있습니다.

시사점

시스템 아키텍트 관점에서 이노사이언스의 패배는 중국발 저가 GaN 물량 공세에 대한 강력한 브레이크가 될 것입니다. 특히 GaN-on-Si 공정에서의 에피택셜 설계는 미세한 차이가 전체 시스템의 수명과 직결되는데, 인피니언의 승소는 ‘특허를 회피한 창의적 설계’ 없이는 선두 주자를 추월하기 어렵다는 점을 증명합니다. 국내 기업들은 이번 사례를 교훈 삼아 독자적인 게이트 구조 IP 확보에 주력해야 합니다.