🔍 핵심 요약

  • 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 공정의 램프업 속도가 예상보다 지연되며 차세대 전략 차질
  • 와이드밴드갭(WBG) 반도체의 높은 기술적 난도와 글로벌 전기차 시장 수요 둔화가 복합적 작용
  • ST마이크로 및 울프스피드 등 글로벌 선도 업체와의 격차 심화 및 후발 주자 리스크 확대

상세 분석

화합물 반도체 공정 전환의 기술적 한계

국내 대표 파운드리 기업인 DB하이텍이 미래 핵심 먹거리로 집중 육성해온 실리콘카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN) 등 차세대 전력 반도체 공정 전환에서 예상치 못한 난관에 봉착했습니다. 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체 공정과 달리, 와이드밴드갭(WBG) 소재는 결정 성장 제어와 웨이퍼 가공 난도가 극도로 높습니다. DB하이텍은 8인치 웨이퍼로의 조기 전환을 통해 경쟁력을 확보하려 했으나, 현재 수율 확보와 생산 라인 안정화 단계에서 램프업(Ramp-up) 속도가 계획을 하회하고 있는 것으로 파악됩니다.

시장 환경 변화와 수요 둔화의 이중고

기술적 난제와 더불어 외부 시장 환경 역시 우호적이지 않습니다. 글로벌 전기차(EV) 시장의 성장세가 일시적으로 주춤하는 ‘캐즘(Chasm)’ 구간에 진입하면서, 고가의 SiC 전력 반도체에 대한 폭발적인 수요 기대치가 조정되고 있습니다.

이는 DB하이텍과 같은 후발 주자에게는 가혹한 환경입니다. 이미 ST마이크로일렉트로닉스(STMicro), 인피니언(Infineon), 울프스피드(Wolfspeed) 등 선두 업체들이 탄탄한 수직 계열화와 대량 양산 체제를 갖추고 시장을 선점한 상황에서, DB하이텍의 양산 지연은 고객사 확보 경쟁에서 불리한 요소로 작용할 수밖에 없습니다.

파운드리 전략 수정의 필요성

전문가들은 DB하이텍이 이번 지연을 극복하기 위해 기술적 완성도를 높이는 동시에, 전장용 외에도 AI 서버 및 신재생 에너지용 전력 관리 모듈 등 포트폴리오 다변화가 필요하다고 조언합니다. 현재의 공정 전환 지연이 장기화될 경우, 차세대 전력 반도체 시장이 성숙기에 접어들 때 가격 경쟁력을 확보하기 어려워질 수 있습니다. 특히 8인치 SiC 웨이퍼 공급망의 안정적 확보와 에피텍셜(Epitaxial) 성장 공정의 수율 개선이 향후 DB하이텍의 운명을 결정지을 핵심 변수가 될 전망입니다.

한국 파운드리 생태계의 다양성 측면에서도 DB하이텍의 차세대 공정 안착 여부는 중대한 기로에 서 있습니다.

시사점

DB하이텍의 사례는 화합물 반도체 시장이 자본력뿐만 아니라 극도로 정교한 공정 노하우가 뒷받침되어야 하는 ‘기술 장벽형’ 시장임을 보여줍니다. 선두 기업들이 이미 8인치 양산 체제를 굳히고 있는 상황에서, DB하이텍은 기술적 추격 속도를 높이는 동시에 틈새 시장을 공략하는 유연한 파운드리 전략이 절실한 시점입니다.